IBM以标准CMOS制程打造三五族FinFET

来源：互联网

2015/6/26 18:17:01

整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从矽基板转换而利用砷化铟镓的更高电子迁移率。IBM展示了一种将三五族砷化铟镓化合物放到绝缘上覆矽晶圆的技术，现在该公司有另一个研究团队则是声称发现了更好的方法，采用标准块状矽晶圆并制造出矽上砷化铟镓证实其可行性。

整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从矽基板转换而利用砷化铟镓(InGaAs)的更高电子迁移率，包括英特尔(Intel)与三星(Samsung);而IBM已经展示了如何利用标准CMOS制程技术来达成以上目标。

上个月IBM展示了一种将三五族(III-V)砷化铟镓化合物放到绝缘上覆矽(SOI)晶圆的技术，现在该公司有另一个研究团队则是声称发现了更好的方法，采用标准块状矽晶圆并制造出矽上砷化铟镓证实其可行性。

IBM Research先进功能材料部门经理、CMOS专家JeanFompeyrine表示：“我们以块状矽而非SOI晶圆片着手，首先放上氧化层，然后做一个沟槽通过下面的矽晶圆;接着以其为根源长出砷化铟镓──这是可制造性非常高的程序。”

责编：樊晓婷

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